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SK하이닉스가 인공지능(AI) 추론 시장 성장에 대응해 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 차세대 메모리 기술 개발을 확대합니다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 오늘(14일) 열린 'SEDEX 2026' 기조연설에서 AI 추론 수요 증가에 따른 메모리 병목 현상을 진단하고, 차세대 메모리 기술 로드맵을 제시했습니다.

안 사장은 AI 추론 시장이 작업 복잡도와 데이터 처리량 증가 등으로 빠르게 성장하면서 AI 인프라의 성능 규모가 2030년에는 올해 대비 약 19배까지 확대될 것으로 전망했습니다.

특히 AI 연산 과정에서 HBM과 D램, SSD 등 서로 다른 메모리 사이의 데이터 이동이 새로운 성능 저하 요인으로 떠오르고 있다고 설명했습니다.

SK하이닉스는 기존 HBM 기술을 고도화하는 동시에 '3D 적층 D램(3D Stacked DRAM)'과 '고대역폭플래시(HBF)' 등 차세대 메모리 개발에 나섭니다.

3D 적층 D램은 연산 반도체 위에 D램을 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이는 기술입니다. HBF는 낸드플래시에 고속 데이터 전송 기술을 적용해 대용량과 고대역폭을 동시에 구현하는 차세대 메모리입니다.

특히 HBF는 동세대 HBM 대비 약 10배의 용량과 절반 수준의 대역폭을 구현하는 것을 목표로 개발 중입니다.

SK하이닉스는 HBF의 국제 표준화와 글로벌 기업들과의 협력도 추진해 차세대 메모리 시장을 선점한다는 방침입니다.

안 사장은 개별 메모리의 성능 향상을 넘어 전체 메모리 계층을 최적화하는 것이 AI 인프라의 성능과 에너지 효율을 높이는 핵심이라고 강조했습니다.

한편 SK하이닉스는 이번 전시회에서 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 베라 루빈 슈퍼칩과 HBM·HBF 구조 모형을 비롯해 서버용 D램, 기업용 SSD, 모바일용 메모리 등 다양한 제품을 선보였습니다.