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■ 머니쇼 '전화연결' - 전병서 중국경제금융연구소장

중국 CXMT가 차세대 D램 기술을 공개하면서 국내 반도체 업계에도 긴장감이 커지고 있는데요. 이번 기술이 실제로 한국 메모리 기업을 위협할 수준인지, 또 한국 반도체 산업에 미치는 영향은 무엇일지 짚어보겠습니다. 중국경제금융연구소 전병서 소장 전화 연결되어 있습니다.



Q1. 중국 CXMT가 4F²(포에프스퀘어) 구조를 적용한 서버용 DDR5 메모리를 연말까지 출시하겠다고 밝혔습니다. 이번에 발표한 중국의 차세대 D램 기술은 기존 D램과 어떤 차이가 있고 기술적으로 어떤 의미가 있습니까?

- 중국 차세대 D램 4F² 기술이란?
- 中 CXMT, 차세대 서버 D램 연내 출시 예고
- 4F² 구조, 기존보다 메모리 집적도 높이는 기술


- 기존 6F² 구조보다 같은 면적에 더 많은 셀 집적
- 삼성, 차세대 공정에서 4F² 구조 적용 추진
- CXMT, 12나노급 공정에 4F² 요소기술 일부 적용
- EUV 없이 다중 패터닝으로 미세화 한계 극복 시도
- 기술 공개와 실제 양산·수율 확보는 별개 문제

Q2. 이번 발표 이후 삼성전자·SK하이닉스 주가가 큰 폭 급락했죠. 일각에서는 중국 기술이 한국을 앞질렀다는 평가까지 나오는데, 실제로 한국 메모리 기업에 위협적인 기술 진전이라고 봐야 할까요? 중국 현지 반응이나 중국 시장 분위기는 어떤가요?

- CXMT 기술, 한국 반도체 위협 수준은?
- 中 CXMT '차세대 D램' 쇼크…삼전·닉스 급락
- CXMT 주가 하락…중국 증시는 기술 발표에 냉정
- 기술 발표와 실제 양산·수율 확보 사이에는 큰 차이
- 국내 증시, 중국의 기술 추격 우려에 민감하게 반응
- 범용 메모리는 위협적이나 첨단 기술 격차 여전
- CXMT, 높은 수익성 바탕으로 기술 투자 여력 확보
- 과소평가도 위험…중국의 추격 속도 주시

Q3. 우선 이번 발표만으로 중국이 한국을 앞섰다고 단정하기는 어려울 듯합니다. 그렇다면 현재 CXMT의 D램 기술은 삼성전자·SK하이닉스와 비교해 어느 수준이고, 중국은 어떤 방식으로 기술 격차를 좁혀오고 있습니까?

- 한·중 D램 기술 격차 어디까지 좁혀졌나?
- 주력 D램 기술 격차, 한·중 간 3년 안팎 추정
- CXMT, G5 공정으로 12나노급 기술 수준 진입
- EUV 장비 없이 다중 패터닝으로 미세화 구현
- 미세화 한계를 셀 구조 개선으로 보완하는 전략
- 업계 평가상 D램 2년, HBM 3년가량 기술 격차
- 중국, 공정 미세화와 셀 구조 개선으로 추격 지속

Q4. 기술을 발표하는 것과 실제로 양산해서 시장 경쟁력을 확보하는 건 다른 문제일 텐데요. 중국이 아직 넘지 못한 기술적, 산업적 장벽은 무엇일까요? 또 앞으로 반도체 기업 투자 시 한·중 D램 경쟁에서 어떤 변화를 주의 깊게 살펴봐야 할까요?

- 중국이 한국을 넘지 못한 기술 장벽은?
- 한·중 D램 경쟁 속 반도체 투자 시 주목할 변화는?
- 2030년 전후, 3D D램 적층 기술이 새 승부처
- 중국 장비업체, 식각·증착 기술 바탕으로 추격 가능성
- 적층 구조 전환에는 정밀한 정렬·계측 기술이 필수
- 첨단 계측 장비 부족은 중국의 기술 개발 걸림돌
- DUV 장비 비축분 소진 여부도 주요 관전 포인트
- 차세대 기술 선점 위한 재투자 여력이 경쟁력 좌우

(자세한 내용은 동영상을 시청하시기 바랍니다.)