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중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)는 차세대 D램 핵심 기술로 꼽히는 '4F제곱(4F²)' 셀 구조 개발에서 유의미한 성과를 거뒀다고 발표했습니다. 



12일 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면, 차오 칸위 CXMT 사장은 지난 주말 상하이에서 열린 반도체 산업 행사에서 독자 개발한 트랜지스터 기술을 기반으로 한 4F²구조의 서버용 D램 제품을 2026년 말까지 선보일 계획이라고 밝혔습니다. 

4F²구조는 칩 내부의 D램 셀 면적을 최소 선폭(F) 기준 4제곱 수준으로 축소하는 기술로 현재 글로벌 상용 D램 시장의 표준인 6F²구조 대비 셀 면적을 약 30% 이상 줄일 수 있어 단일 웨이퍼에서 생산할 수 있는 메모리 저장 밀도를 극대화할 수 있다고 신문은 전했습니다. 

CXMT 측은 자체 개발한 '수직 환형 게이트(VSG)' 트랜지스터가 이번 4F²개발의 핵심이라고 강조했습니다. 

기존의 수평형 채널 구조를 수직형으로 전면 전환해 고밀도 집적 시 발생하는 전류 누설 문제를 해결하고 전력 대비 성능 비율을 크게 높였다는 설명입니다. 



4F²기술은 메모리 반도체 시장의 판도를 바꿀 차세대 기술로 꼽힙니다. 

SK하이닉스는 지난해 4F²로드맵을 공개한 바 있으며 삼성전자 역시 2028년을 목표로 10나노 이하(sub-10nm) D램에 해당 구조를 적용해 양산한다는 계획을 추진 중입니다. 

CXMT는 2016년 설립 당시부터 4F²연구에 착수해 현재 300개 이상의 관련 특허를 보유하고 있다고 주장했습니다. 

CXMT는 연내에 독자 4F²기술을 적용한 기업용 서버 메모리 모듈인 DDR5 RDIMM 신제품을 선보일 예정입니다.