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TSMC가 세계 최대 노광장비 기업 ASML과 협력해 2031년까지 12인치 포토마스크 시험생산라인을 구축할 계획인 것으로 알려졌습니다. 



9일 연합보 등 대만언론에 따르면 TSMC는 전날 미국 캘리포니아 몬터레이에서 개최된 BACUS 국제광전자공학회(SPIE)의 첨단 포토리소그래피 기술 세미나에 앞서 ASML과 함께 12인치 포토마스크로의 전환을 추진하기 위한 협력 이니셔티브를 결성했다면서 이같이 밝혔습니다. 

이번 협력은 양사가 반도체 산업에 더욱 대형화한 극자외선(EUV) 리소그래피 포토마스크를 도입하는 과정을 공동으로 주도하기 위한 것입니다. 

포토마스크는 미세 회로 패턴을 정교하게 새긴 정밀 '마스크(틀)'로 노광 설비 내에서 빛을 통해 웨이퍼에 설계된 패턴을 새기는 필수 도구입니다. 회로를 새기는 정밀도가 반도체 성능과 수율을 결정짓습니다.
 


TSMC는 협력 이니셔티브를 통해 2031년까지 12인치 포토마스크 시험 생산라인을 구축, 2033년까지 '하이 뉴메리컬어퍼처(High-NA) EUV' 장비를 통해 첨단 노드(공정) 생산을 위한 완전한 리소그래피 시스템을 구축하는 것을 목표로 한다고 설명했습니다. 

TSMC는 첨단 시스템 구축을 통해 한 번에 넓은 면적의 회로를 웨이퍼에 새길 수 있게 돼 팹(fab·반도체 생산공장)의 생산성 향상, 칩 제조 비용 절감, 6인치 포토마스크 사용시 제약 해소 등의 효과가 기대되며, 인공지능(AI) 수요의 성장에 발맞출 수 있을 것이라고 밝혔습니다. 

차세대 반도체 노광장비인 하이 NA EUV 장비는 1.4나노 이하 등 최선단 로직 공정과 첨단 메모리 제조에 필수적인 장비로 꼽힙니다. 

기존 EUV 장비는 한 번에 그릴 수 있는 반도체 회로 선폭이 최대 13.5나노(nm·10억분의 1m)지만, 하이 NA EUV 장비는 빛의 개구수를 높여 8나노 수준의 더 얇은 선폭을 그릴 수 있습니다. 또 4번의 멀티패터닝으로 2나노 회로를 구현하는 기존 EUV와 달리, 공정 수를 이론상 절반으로 줄일 수 있습니다. 

한편, 대만언론은 소프트뱅크 자회사인 영국 반도체 설계기업 Arm이 전날 공개한 '로봇 산업 공략을 위한 전세계 80개 기업 파트너사' 가운데 TSMC, 리얼텍 등 9개 대만 기업이 포함됐다고 보도했습니다.