SBS Biz

[중국 반도체 (PG) (사진=연합뉴스)]

중국이 미중 기술 경쟁 속에 반도체 자립·자강에 집중하면서 향후 10년간 7나노(nm·10억분의 1m) 이하 첨단 공정 칩 해외 의존을 대폭 줄일 것이라는 관측이 나왔습니다.

25일(현지시간) 차이신·사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 미국 투자은행 골드만삭스는 최근 '중국 반도체 국산화의 지속적 추진' 보고서를 통해 2035년이면 중국의 7나노 이하 공정 웨이퍼 수급 격차가 34%로 줄어들 것으로 전망했습니다.

지난해만 해도 수요 대비 공급 부족 비율이 92%에 달했지만, 2035년이면 매월 첨단 공정 웨이퍼 수요가 61만9천장인 반면에 공급이 41만장으로 올라와 공급 부족이 34% 수준으로 축소될 수 있다는 것입니다.

골드만삭스는 2025∼2035년 중국 내 첨단 공정 웨이퍼 공급의 연평균 증가율(CAGR)이 46%를 기록, 수요 증가율 17%를 크게 앞설 것으로 봤습니다.

그러면서 중국 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 중신궈지(SMIC)가 공격적인 생산능력 확장과 수율 개선으로 흐름을 주도할 것으로 예상했습니다.

골드만삭스는 2026∼2031년 SMIC의 첨단 웨이퍼 월 생산 능력이 매년 3만∼5만장씩 증가하고 2032∼2035년에는 매년 2만장씩 늘어나는 것으로 가정했고, 수율은 올해 23%에서 2030년 50%, 2035년 75%로 올라가는 것으로 추정했습니다.

미국이 중국의 첨단 반도체 공급망 접근을 제한하는 상황 속에, SMIC는 2023년 화웨이 휴대전화에 들어가는 7나노 반도체를 생산했습니다.

골드만삭스는 수량 기준 2010년 1월 38%에 불과한 중국의 반도체 자급률이 지난 6월 70%에 도달했다면서도, 금액 기준 이에 못 미친다고 전했습니다.

골드만삭스는 중국의 반도체 분야 투자 확대 관련해, 반도체 자본지출이 매년 10%대 증가세로 2030년 820억 달러(약 113조6천억원)에 이를 것으로 봤습니다.

이는 골드만삭스의 1년 전 예상보다 79% 많은 액수로, 인공지능(AI) 수요 확대와 중국의 국내 반도체 생태계 구축 진전 등을 긍정적 요인으로 꼽았습니다.

이에 따라 중국의 반도체 제조 장비 시장도 성장할 수 있겠지만, 첨단 심자외선(DUV) 노광장비의 ASML 의존 등은 여전히 숙제로 거론됐습니다.

한편 골드만삭스는 최근 기업공개(IPO)로 대규모 자금을 확보한 창신커지(CXMT)가 2028년 중국 D램 수요의 약 50%, 고대역폭메모리(HBM) 수요의 40%를 충족할 수 있을 것으로 봤습니다.

CXMT는 현재 12인치 D램 공장을 허페이에 2곳, 베이징에 1곳 가동 중이고 월 생산능력 합계는 30만장 정도로 평가되는데, 로이터통신은 상하이 등 신규 공장 완공 시 월 생산 능력이 60만장 이상으로 늘어날 수 있다고 보도했습니다.

다만 골드만삭스는 CXMT가 삼성전자·SK하이닉스 등 글로벌 업체들과 2∼3세대 정도의 기술격차가 난다면서, 이는 극자외선(EUV) 노광 장비 등 첨단 반도체 장비 공급 제한과 관련 있다고 지적했습니다.

이어 "단기적으로 기술 격차가 명확히 줄어들 가능성이 작다. 중국 D램 수요의 상당 부분은 여전히 글로벌 업체에 의존해야 한다"면서 "삼성전자와 SK하이닉스가 CXMT와 경쟁에 직면했지만, 중국에서 여전히 비교적 큰 발전 기회를 가질 것"이라고 예상했습니다.