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 반도체 업계에서 '무어의 법칙'의 한계에 대한 지적이 나오는 가운데, 중국 화웨이가 '타오의 법칙'(the Tau Scaling Law)을 제시하고 극자외선(EUV) 노광 장비 없이 2031년까지 트랜지스터 밀도를 높여 공정 수준을 1.4나노(나노미터·10억분의 1m)로 끌어올리겠다고 발표했습니다. 



무어의 법칙이 트랜지스터를 작게 만드는 '기하·공간적 축소'에 초점을 맞춘 반면, 타오의 법칙은 패러다임 전환을 시도해 신호가 전달되는 시간을 줄이는 '시간 축소'에 주목합니다. 

타오는 물리학에서 시간상수를 의미하며 시스템 내에서 신호를 전달하는 데 필요한 기본적 시간을 가리킵니다. 타오의 법칙은 '로직폴딩' 기술 등을 통해 신호 전달 시간을 줄여 반도체·전자 시스템을 진전시킨다는 내용입니다. 이는 중국이 처음으로 내놓은 반도체 산업 '법칙'이기도 합니다. 

대만 TSMC가 2028년 하반기, 삼성전자가 2029년 1.4나노 공정 양산에 들어갈 것으로 예상되는데, 중국 반도체 자립·자강의 첨병인 화웨이가 계획대로 목표를 달성할 경우 업계 선두 기업들과의 격차를 줄일 것이라는 관측도 나옵니다. 

현지시간 26일 제일재경 등 중화권매체에 따르면 화웨이 반도체사업부 및 반도체 설계 자회사 하이실리콘 총재를 맡고 있는 허팅보는 전날 콘퍼런스에서 '반도체의 새로운 경로 탐색 및 실천' 제하 연설을 통해 이같이 발표했습니다. 



기존 무어의 법칙은 인텔 창업자 고든 무어의 이름을 딴 것으로, 반도체에 집적되는 트랜지스터 수가 약 2년마다 2배로 늘어나 성능도 2배가 된다는 내용입니다. 이는 한때 정설로 여겨졌지만 나노 단위 칩에 트랜지스터의 밀도를 무작정 늘리기 어려워진 상태입니다. 

화웨이는 지난 6년간 타오의 법칙에 근거해 반도체 381종을 설계·양산했으며, 올가을 처음으로 로직폴딩 기술을 완전히 채택한 치린(기린) 칩을 선보일 예정이라고 밝혔습니다. 

또 타오의 법칙에 기반해 5년 뒤면 트랜지스터 밀도가 1.4나노 공정과 같은 수준에 도달할 것이라고 제시했습니다. 

허 총재는 발표에서 "지속 가능한 진화를 위한 방법을 찾았다"고 밝힌 뒤 이후 기자들에게 네덜란드 ASML의 극자외선(EUV) 노광 장비 없이 칩 제조 역량을 크게 향상할 수 있다고 설명했습니다. 

다만 화웨이뿐만 아니라 엔비디아·AMD 등 다른 기업들도 무어의 법칙을 대체할 방안을 모색 중이며, 타오의 법칙에 따른 상업적 양산 가능성 등에 대해서는 의문이 제기되는 상황입니다. 

 한 업계 관계자는 "첨단 노광장비가 없다는 전제하에서 아키텍처·알고리즘 등 소프트웨어 기술로 성능 면에서 대등한 수준을 구현하려 하지만, 하드웨어 측면의 기술 난관 돌파를 대체할 수 없다"고 봤습니다.