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삼성전자 핵심 반도체 기술을 중국에 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 전직 연구원이 1심에서 징역형을 선고받았습니다.



서울중앙지법 형사합의28부(한대균 부장판사)는 오늘(22일) 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전모(56)씨에 대해 징역 7년을 선고했습니다.

재판부는 유출된 기술이 국가 핵심기술에 해당하고, 유출 과정에 전씨가 공모했다는 점이 인정된다며 유죄로 판단했습니다.

그러면서 "우리나라 대기업이 거액을 들여 개발한 핵심 정보를 취득해 외국에 사용하게 했다"며 "기업은 물론 대한민국에까지 손실을 입혔기 때문에 엄한 처벌을 할 수밖에 없다"고 했습니다.

전씨는 전직 삼성전자 부장 김모씨와 함께 중국 반도체 업체 CXMT(창신메모리테크놀로지)로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술을 중국 기업에 유출한 혐의로 지난해 5월 구속기소됐습니다.



CXMT는 중국 지방정부가 2조6천억원을 투자해 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사입니다. 유출된 기술은 삼성전자가 1조6천억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술로 알려져 있습니다.

전씨는 해당 기술을 넘기는 대가로 CXMT로부터 계약 인센티브 3억원, 스톡옵션 3억원 등을 포함해 6년간 29억원을 받은 것으로 조사됐습니다.