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[대만 TSMC (연합뉴스 자료사진)]

대만 TSMC는 올해 4분기 들어 최첨단 2나노(㎚·10억분의 1ｍ) 공정 제품을 양산하고 있다고 밝혔습니다. 

31일 연합보 등 대만언론에 따르면 TSMC는 전날 공식 웹사이트를 통해 남부 가오슝 난쯔 과학단지 22 팹(반도체 생산공장)에서 2나노(N2) 제품을 양산 중이라고 공개했습니다. 

TSMC는 N2 공정에 1세대 게이트 올어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터 기술을 사용해 성능과 전력 소비에서 획기적인 발전을 이뤘다고 설명했습니다. 

이어 N2의 성능 향상을 위해 반도체 칩 위에 전기적 연결을 위한 금속 와이어와 절연층을 형성하는 RDL(Redistribution Layer·재배선)과 초고성능 금속 절연체 금속(SHPMIM) 커패시터 등을 개발해 표면저항(Rs)과 통과 저항(Rc)을 각각 50% 감소시켰다고 덧붙였습니다. 

이 같은 기술 혁신을 통해 더 안정적인 전원공급, 우수한 연산 능력, 전반적인 에너지 효율의 최적화를 보여준다고 강조했습니다. 

소식통은 TSMC의 N2 공정이 핀펫(FinFET) 트랜지스터 기술에서 도약한 GAA 나노시트 트랜지스터 기술을 처음 사용하는 기술 혁신을 보였다고 밝혔습니다. 

또 다른 소식통은 TSMC가 약 5만개에 달하는 22 팹과 20 팹의 월간 생산능력을 내년 말까지 10만개 이상, 2027년 20만개 이상으로 확대하는 방안을 고려 중이라고 전했습니다.