'출금시 하트 4개' 삼성 반도체기술 中유출 5명 구속기소
SBS Biz 송태희
입력2025.12.23 18:24
수정2025.12.23 18:27
[사진=연합뉴스]
중국 반도체회사로 이직하면서 국내 기업의 핵심 기술을 빼돌려 유출한 전직 삼성 임직원들이 무더기로 재판에 넘겨졌습니다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 삼성전자 임직원 출신인 A씨 등 5명을 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설 등) 및 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외누설 등) 혐의로 구속기소 했다고 23일 밝혔습니다.
중국 창신메모리(CXMT) 개발팀 직원 등 5명도 같은 혐의로 불구속기소 됐습니다. CXMT는 중국 지방정부 및 중국 반도체 설계회사의 출자를 통해 2016년 설립된 중국 최초의 D램 반도체회사입니다.
검찰에 따르면 CXMT는 설립 직후 삼성전자 부장 출신인 A씨를 개발실장으로 영입했습니다.
A씨는 삼성전자 독자 기술이었던 10나노대 D램 공정 기술을 가져오기 위해 공정별 핵심 인력 영입에 나섰습니다. 위장 회사를 만든 뒤 주기적으로 사무실을 변경하고, 출국금지·체포 시 '하트' 네 개(♥♥♥♥)를 보내기로 암호를 정하는 등 치밀함도 보였습니다.
이 과정에서 삼성전자의 연구원이었던 B씨는 D램 공정의 핵심인 PRP(Process Recipe Plan) 정보를 자필로 베껴 적어 CXMT로 이직했고, CXMT는 당시 세계 유일의 10나노대 D램 공정 기술을 통째로 확보했습니다.
검찰에 따르면 CXMT는 이후 삼성전자 임직원들을 추가로 영입하면서 본격적인 D램 개발에 착수했습니다. 개발 과정에서 협력업체를 통해 SK하이닉스의 반도체 공정 관련 기술까지 추가로 확보했습니다.
한국의 핵심 반도체 기술들을 모두 손에 넣은 CXMT는 결국 2023년 중국 최초이자 세계에서 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했습니다.
이 사건은 검찰이 기술 유출 단서를 인지해 국가핵심기술 유출 범행의 전모를 밝힌 직접수사 사례입니다.
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