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SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 하이(High) NA 극자외선(EUV) 장비를 이천 M16 공장에 반입했다고 오늘(3일) 밝혔습니다.



해당 장비는 해상도가 크게 향상된 차세대 노광 장비로 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소·집적도 향상에 도움이 됩니다.

SK하이닉스는 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념하기 위해 이천캠퍼스에서 행사를 진행한 가운데 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석했습니다.

SK하이닉스는 이번 장비 도입으로 치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다고 설명했습니다.

그러면서 파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망 신뢰성과 안정성을 강화해 나가겠다고 강조했습니다.



SK하이닉스는 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이기 위해 미세 공정 기술 고도화는 필수적이라고 보고 있습니다. 

회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 개선되기 때문입니다.

이에 SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대 D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔습니다.

이번에 도입된 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로 High NA EUV 최초 양산용 모델입니다. 

기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있습니다.

SK하이닉스는 앞으로 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 확보할 방침입니다.

김병찬 ASML코리아 사장은 "High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술"이라며 "SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다"고 말했습니다.

차선용 SK하이닉스 CTO는 "이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 강조했습니다.