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[한미반도체 TC 본더 4 (사진=한미반도체)]

한미반도체가 차세대 인공지능(AI) 반도체 핵심인 고대역폭메모리(HBM)의 6세대 제품인 HBM4의 생산 전용 장비 'TC 본더 4(TC BONDER 4)'를 출시한다고 14일 밝혔습니다. 

HBM 시장 리더인 SK하이닉스의 물량을 두고 한화세미텍과 치열한 신경전을 벌이는 가운데, 차세대 제품으로 시장 리더십을 굳힐 계획입니다.

곽 회장은 "AI 시장의 급성장으로 글로벌 HBM 시장은 매년 폭발적으로 성장하고 있다"면서 "이번에 출시한 TC 본더 4는 HBM4 생산이 가능한 전용 장비로, 한층 고도의 정밀도를 요하는 HBM4 특성에 맞춰 경쟁사 대비 생산성과 정밀도가 대폭 향상된 점이 특징"이라고 강조했습니다.

이어 "글로벌 반도체 고객사의 HBM4 생산에 적극 활용되며 향후 HBM4 시장 확대에 따라 매출에 크게 기여할 것"이라며 "엔비디아가 올해 하반기에 선보이는 차세대 제품인 블랙웰 울트라도 한미반도체 TC 본더로 생산한다"라고 말했습니다.

TC본더는 여러개의 D램을 수직으로 쌓아 만드는 HBM 제조를 위해 반드시 필요한 핵심 장비입니다. D램 칩과 칩을 쌓은 후 정렬이 흐트러지지 않도록 고정시키는 초반 접합 작업을 TC 본더가 맡고 있습니다.

최근에는 적층단수가 8단, 12단, 16단으로 높아지면서 TC 본더의 중요성이 더욱 커졌는데, 단수가 높아질수록 필요한 TC본더 장비 개수도 늘어납니다.

한미반도체는 현재 HBM3E 12단 생산용 TC 본더 시장에서 90% 이상의 점유율을 차지하고 있습니다. 이 때문에 HBM 시장에서 ‘수퍼 을(乙)’ 기업으로 꼽힙니다.

반도체 업계 안팎에서는 HBM4가 올 하반기 중 양산이 시작될 것으로 보고 있습니다.

기존 5세대(HBM3E) 대비 속도는 60% 이상 향상된 반면 전력소모량은 70% 수준으로 낮춘 게 특징으로 최대 16단까지 지원하며 D램 당 용량도 24Gb에서 32Gb로 확장됐습니다.

또한 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수가 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 크게 향상됐습니다. 

한미반도체는 이번 HBM4 전용 장비 출시를 계기로 글로벌 AI 반도체 시장에서 입지를 한층 강화할 방침입니다. 

한편, 일각에서는 HBM4 양산을 위해 TC 본더가 아닌 차세대 하이브리드 본더 장비가 필요하다는 시각이 있었지만 지난달 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 HBM4 표준 높이를 775μm(마이크로미터)로 완화하면서 TC 본더 장비로도 HBM4 제조가 가능해졌다고 회사 측은 설명했습니다.