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SK하이닉스는 오늘(24일) 3분기 실적 발표회에서 “최고 특성과 품질을 가진 HBM4 개발을 위해서 파트너사(TSMC)와 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 말했습니다.



SK하이닉스는 "일반 D램과 달리 HBM은 고객 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급하는 게 중요하다"며 "안정적인 품질의 공급을 위해 1b 나노미터, 어드밴스드 MR-MUF 공정 등을 통해 예정대로 내년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 말했습니다.

중국 메모리 공급사 추격에 대해 "중국 메모리 공급사의 공급 증가로 DDR4 및 LPDDR4와 같은 레거시 제품 시장에서 경쟁이 심화되고 있지만, 후발 업체들과의 기술 격차는 여전히 크다"고 설명했습니다.

이어 "DDR5, LPDDR5로의 전환이 이미 진행 중이며, 특히 AI 기능이 확장되는 스마트폰과 PC에서 고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "후발 업체들과의 격차를 유지하기 위해 더 빠른 속도를 지원하는 제품 개발에 집중하고, 중장기적으로 성장할 고성능 메모리 시장을 선도할 계획"이라고 강조했습니다.

SK하이닉스는 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 7조300억원으로 지난해 동기(영업손실 1조7천920억원)와 비교해 흑자전환한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했습니다.