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[이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장 (SK하이닉스 제공=연합뉴스)]

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장이 자사 뉴스룸 인터뷰에서 맞춤형 고대역폭 메모리(HBM)인 6세대 제품 HBM4에 맞춰 차세대 패키징 기술 개발에 속도를 내겠다고 강조했습니다.



오늘(5일) 이규제 부사장은 "커스텀 HBM에 맞춰 차세대 패키징 기술을 개발하겠다"며 "방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편 하이브리드 본딩 등 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 오늘(5일) 밝혔습니다.

SK하이닉스는 HBM4 16단부터 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 적용하겠다는 계획입니다.

하이브리드 본딩 기술은 16단 이상 HBM 제품에서 필요성이 커지고 있습니다. 

하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는데 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해집니다.



이 부사장은 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩의 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"며 "위아래 칩 간격이 좁아져 생기는 발열 문제는 해결해야 할 과제이지만 다양해지는 고객의 성능 요구를 충족시킬 설루션으로 기대를 모으고 있다"고 설명했습니다.

SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용한 HBM4 12단 제품을 내년 하반기에 출하하고, 오는 2026년 수요 발생 시점에 맞춰 HBM4 16단 제품 출시를 준비한다는 방침입니다.

HBM4 16단 제품에 사용될 패키징 기술 중 하나인 어드밴스드 MR-MUF 방식은 현재 HBM3와 HBM3E에 적용되고 있습니다.

앞서 SK하이닉스는 지난 2009년 HBM 개발 착수했고, 4년 뒤인 2013년 12월 첫 HBM을 선보였습니다.

SK하이닉스가 'HBM 1위' 자리에 오른 것은 지난 2019년 MR-MUF를 적용해 개발한 HBM2E(3세대)부터입니다.

기존 MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정입니다.

HBM3 12단부터는 기존보다 칩의 적층이 늘어나면서 방열 성능을 강화하는 기술이 필요해졌습니다.

기존 MR-MUF 방식으로는 HBM3 12단의 더 얇아진 칩들이 휘어지는 현상을 제어하기 어려웠기 때문입니다.

이러한 한계를 극복하기 위해 SK하이닉스는 기존의 MR-MUF 기술을 개선한 어드밴스드 MR-MUF를 개발했습니다.

이 부사장은 "어드밴스드 MR-MUF를 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발과 양산에 성공했으며 올해 3월 세계 최고 성능의 HBM3E를 양산하게 됐다"며 "이 기술은 하반기부터 인공지능(AI) 빅테크 기업에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있고 SK하이닉스의 HBM 1등 기술력을 더 공고히 하는 데 힘이 되어줄 것"이라고 강조했습니다.

어드밴스드 MR-MUF는 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술이 적용됐으며 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상됐습니다.

이 부사장은 "얼마 전 MR-MUF가 고단 적층은 구현하기 어렵다는 소문이 업계에 돌았던 적이 있다"며 "우리는 MR-MUF가 고단 적층에도 최적의 기술이라는 사실을 고객과 소통하는 데 힘을 쏟았고 이는 고객의 신뢰를 재확인하는 계기가 됐다"고 덧붙였습니다.