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[SK하이닉스 HBM3E (SK하이닉스 제공=연합뉴스)]

올해 말에는 고대역폭 메모리(HBM)가 메모리 반도체 D램의 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 것이라는 전망이 나왔습니다.

20일 대만 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 3대 D램 공급사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 선단 공정용 웨이퍼 투입을 늘리고 있으며, 수익성과 수요 증가를 이유로 HBM 생산이 우선시됩니다.

4세대 HBM인 HBM3E 생산이 급증하는 가운데 각사 실리콘관통전극(TSV) 용량을 기준으로 연말까지 HBM은 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%에 이를 전망입니다.

지난해 반도체 불황 여파로 대규모 손실이 발생하면서 D램 제조사들은 증설에 신중한 태도를 보이고 있습니다.

그러나 HBM 생산에 집중하면서 증설이 충분하게 이뤄지지 않으면 용량 제약으로 인해 D램 공급이 부족해질 수도 있다고 트렌드포스는 진단했습니다.

트렌드포스는 "올해 안에 HBM3E가 HBM 시장의 주류로 자리 잡으면서 하반기에 출하량이 집중될 것"이라며 "메모리 성수기와 맞물려 하반기에 DDR5, LPDDR5(X) 등에 대한 시장 수요도 증가할 것"이라고 예상했습니다.