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[반도체 기술 유출 (PG) 일러스트 (사진=연합뉴스)]

반도체 전문가 등 첨단기술 인력의 잇따른 해외 유출로 국익 훼손 우려가 커진 가운데 정부, 국회, 법원이 각각 전문인력 관리를 강화하고 기술 유출에 대한 처벌 수위를 높이는 방안을 추진하고 있습니다.

정부는 조만간 첨단기술 보유자를 '전문 인력'으로 지정해 관리하는 제도를 본격 시행하고, 법원은 '솜방망이 처벌' 논란이 없도록 핵심 기술 유출 범죄에 대한 양형 기준을 크게 상향합니다.

국회는 첨단기술 유출 시 벌금 상한을 15억원에서 65억원으로 높이는 내용의 법 개정안을 심사 중입니다.

25일 산업계와 산업통상자원부 등에 따르면 반도체, 디스플레이, 이차전지, 바이오 등 국가 첨단전략산업 관련 기업들은 핵심인력 관리에 비상이 걸렸습니다.

최근 고대역폭 메모리(HBM) 설계 업무를 담당하던 SK하이닉스 전 연구원이 경쟁사인 미국 마이크론에 임원급으로 이직한 것에 법원이 제동을 건 사실이 알려지며 업계에 충격을 던졌습니다.

작년에는 삼성전자의 영업비밀인 반도체 공장의 설계 도면을 빼내 그대로 본뜬 반도체 공장을 중국에 세우려 한 혐의로 삼성전자 전 임원이 적발된 일도 있었습니다.

이에 따라 산업부는 조만간 전략기술 보유자 등 전문인력 강화 조치를 시행합니다. 

첨단전략산업법의 후속 조치로, 반도체, 이차전지 등 국가 첨단전략산업 분야 핵심 전문가들을 법이 정한 '전문인력'으로 지정해 체계적으로 관리하는 것이 골자입니다.

전문인력으로 지정된 인력과는 기업들이 비밀 유출 방지 및 해외 동종 업종 이직 제한 계약을 체결할 수 있습니다. 

이들의 해외 유출을 막기 위해 기업이 전문인력의 출입국 정보를 받아볼 수 있는 길도 열립니다.

첨단기술 유출 시 처벌을 강화하기 위한 산업기술보호법 개정도 국회에 정부안을 올려 추진하고 있습니다.

개정안은 해외 유출 범죄에 대한 벌금 상한을 현재 15억원 이하에서 65억원 이하로 크게 상향하고, 기술 유출 브로커를 처벌할 수 있도록 하는 내용을 골자로 합니다.

기술 침해에 대한 징벌적 손해배상 한도는 3배에서 5배로 확대되고, 처벌을 위한 구성요건은 '목적'에서 '고의'로 강화됩니다.

지금은 기술을 고의로 빼내 해외로 건넸다고 해도 '외국에서 사용할 목적'을 입증해야 하는데, 개정안이 통과되면 고의성 인정 시 처벌할 수 있게 됩니다.

국회는 산업부가 제출한 법안을 비롯해 작년 4월부터 발의된 총 13건의 산업기술보호법 개정안을 병합 심사하고 있습니다.

이 개정안은 소관 상임위인 산업통상자원중소벤처기업위원회를 통과한 뒤 현재 법제사법위원회로 넘겨진 상태입니다. 21대 국회 임기가 얼마 남지 않은 상태에서 총선 등 정치 일정이 법안 처리의 변수로 꼽힙니다.

법원도 기술 해외 유출에 대한 양형기준 강화에 나섭니다.

국가 핵심기술 유출에 대한 법정형은 '3년 이상 징역'이고, 해외 유출의 경우 최대 15년이지만, 양형 기준은 1년∼3년 6개월로 법정형보다 낮아 법원이 '솜방망이 처분'을 한다는 지적이 제기돼 왔습니다.

이에 대법원 양형위원회는 국가 핵심기술 유출 범죄에 최대 징역 18년까지 선고할 수 있도록 양형 기준 강화를 추진, 이달 중 이를 확정할 예정입니다.