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삼성전자가 차세대 3차원(3D) D램 개발을 전담할 메모리 연구개발(R&D) 조직을 만들었습니다.

오늘(28일) 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 연구개발 조직을 신설했습니다.



이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 개발할 예정입니다.

현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조인데, 메모리 업계는 평면이 아닌 입체 형태로 같은 면적에 집적도를 높일 수 있는 3D D램 개발에 사활을 걸고 있습니다.

업계 선도업체들은 셀을 수평으로 눕혀 위로 쌓아 올리는 방식, 셀 구조를 2단으로 쌓는 버티컬(수직) 방식 등 다양한 방식을 시도하고 있습니다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 하고 있습니다.



앞서 지난해 10월 연 '메모리 테크 데이' 에서 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입할 거라고 공언하기도 했습니다.

칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 극복하고 성능도 향상해 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(Gb) 이상 늘린다는 계획입니다.