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[SK하이닉스의 321단 1TB 4D 낸드플래시(사진=SK하이닉스)]

 SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드 샘플을 공개하고 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 계획입니다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했습니다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 경쟁력의 핵심입니다.

이번에 SK하이닉스가 공개한 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb)와 비교해 생산성이 59% 높아졌습니다.

마이크론이 지난해 7월 232단 낸드 출하를 시작한 데 이어 삼성전자가 같은해 11월 236단으로 추정되는 1Tb 8세대 V낸드 양산을 시작하는 등 반도체 업체에서는 그동안 기술 장벽의 한계로 여겨진 '200단'을 넘어선 낸드 단수 쌓기 경쟁이 치열한 상황입니다.

최근 챗GPT가 촉발한 생성형 인공지능(AI) 시장의 성장으로 최근 메모리 시장에서는 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능·고용량 메모리 수요가 급격히 증가하고 있습니다.

한편, 플래시 메모리 서밋은 매년 샌타클래라에서 열리는 낸드 업계 세계 최대 규모의 콘퍼런스입니다.