SBS Biz

[앵커]

SK하이닉스가 극자외선, EUV 장비를 활용한 4세대 D램 반도체 양산을 시작했습니다.

메모리 반도체 업체들 간의 기술 경쟁이 한층 뜨거워지게 됐습니다.

권세욱 기자입니다.

[기자]

SK하이닉스가 이달 초부터 EUV 공정을 적용한 10나노급 4세대 모바일 D램 양산에 들어갔습니다.

이번 제품은 저전력 모바일 D램 최고 속도를 구현하면서도 기존 모델보다 전력을 20% 줄일 수 있습니다.

웨이퍼 한장에서 얻을 수 있는 수율도 25% 높였습니다.

최태원 SK그룹 회장의 과감한 투자와 결단이 성과로 이어졌다는 해석이 나옵니다.

[이재윤 / 유안타증권 연구위원 : 미세화를 위해서는 EUV를 도입을 할 수밖에 없는 상황인데 지금까지는 D램 3사 간의 기술 격차가 계속 좁혀지는 사이클에서 다시 확대될 가능성이 생긴다는 것입니다.]

4세대 D램 양산으로는 메모리 반도체 세계 3위인 미국 마이크론에 이어 두 번째입니다.

다만 마이크론은 이 제품을 EUV가 아닌 불화아르곤 공정으로 생산했습니다.

D램 양산에 EUV를 처음 활용한 삼성전자는 올해 안에 4세대 D램을 양산할 예정입니다.

10나노급 4세대 D램을 EUV를 활용해 양산한 것은 SK하이닉스가 세계 최초입니다.

[박재근 / 반도체디스플레이학회장 : 명실상부 D램에서도 EUV 공정이 적용된다는 것이죠. 매년 1나노 정도씩 미세화가 되다 굉장히 시간이 길어지면서 어려워지고 있었는데 생산 비용을 낮출 수 있는 계기가 되는 것입니다.]

D램 시장은 삼성전자가 40%가 넘는 점유율로 1위를 공고히 하고 있습니다.

SK하이닉스와 마이크론은 20% 중후반대의 점유율로 맹추격 중입니다.

차세대 D램 시장을 둘러싼 기술 경쟁은 더 치열해질 전망입니다.

SBS Biz 권세욱입니다.