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삼성 차세대 RF 초미세 공정 개발…2030년 1위 ‘초격차’ 가속

SBS Biz 권세욱
입력2021.06.10 07:09
수정2021.06.10 07:56

[앵커]

삼성전자가 무선통신용 반도체 위탁생산, 파운드리 시장 공략을 위해 차세대 공정 기술을 개발했습니다.

후발주자들의 공세가 빨라지는 메모리 분야에서도 새로운 기술을 통해 뿌리치기에 나선 모습입니다.

권세욱 기자입니다.

[기자]

삼성전자가 8나노 무선주파수, RF 공정 기술 개발을 마쳤습니다.

이전의 14나노 공정과 비교했을 때 칩 면적은 35% 줄이고 전력 효율은 35% 높일 수 있는 기술입니다.

초미세 공정과 성능 향상을 통해 5G 통신 반도체 시장을 파고들 계획입니다.

[한승훈 / 삼성전자 파운드리 마케팅팀 전무(지난 4월) : 성능 향상에 초점을 맞춘 14나노, 8나노 RF 공정 개발을 완료하는 등 기술 리더십을 강화하기 위해 노력했습니다. 응용처 다변화에 집중해 미래 성장 기반 확보를 위해 노력할 것입니다.]

후발주자들의 도전이 거센 메모리 반도체에서는 차세대 비전을 제시했습니다.

최근 미국 마이크론은 176단 낸드플래시 메모리를 업계 최초로 양산했다고 발표했습니다.

삼성전자는 이를 뛰어넘는 200단 이상의 낸드 기술을 확보했다며 1천단 시대를 주도하겠다는 뜻을 내놨습니다.

[김기남 / 삼성전자 부회장(지난달 13일) : 한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거셉니다. 수성에 힘쓰기 보다는 결코 따라올 수 없는 초격차를 벌이기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장서겠습니다.]

미국과 중국의 갈등에서 비롯된 공급망 재편과 4차 산업혁명이 맞물리면서 반도체 시장은 요동치고 있습니다.

오는 2030년 종합 반도체 1위가 목표인 삼성전자가 차세대 기술 개발과 대규모 투자에 속도를 내고 있습니다.

SBS Biz 권세욱입니다.

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