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삼성, 차세대 ‘8나노 RF 공정 기술’ 개발…초격차로 차세대 무선통신 공략

SBS Biz 권세욱
입력2021.06.09 11:18
수정2021.06.09 13:39

[앵커]

삼성전자가 무선주파수, RF칩의 크기를 줄이면서도 성능은 높일 수 있는 차세대 반도체 공정 기술을 개발했습니다.

최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 차세대 무선통신 시장을 공략한다는 계획인데요.

권세욱 기자 연결합니다.

삼성전자가 이번에 개발한 기술은 무엇인가요?

[기자]

네, 삼성전자가 8나노미터의 초미세 공정으로 RF칩을 만들 수 있는 기술을 개발했습니다.

공정 미세화와 RF 성능 향상이 동시에 구현된 파운드리라고 설명했습니다.

RF칩 RF칩은 무선주파수 송수신 반도체인데요.

주파수 대역 변경, 디지털-아날로그 신호 변환, 주파수 수신과 증폭 등의 역할을 맡습니다.

[앵커]

기존 기술과 비교하면 어느 정도 수준인가요?

[기자]

삼성전자는 8나노 RF 공정을 통해 이전의 14나노 공정과 비교했을 때, 칩 면적은 약 35% 줄일 수 있고 전력 효율은 약 35% 향상시킬 수 있다고 밝혔습니다.

반도체 공정이 미세화될수록 성능은 높아지지만 소비전력은 늘어나는 문제 등이 발생하는데요.

삼성전자는 RF 전용 반도체 소자를 개발해 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭시킬 수 있었습니다.

[앵커]

삼성전자는 이 기술을 기반으로 5G 이동통신용 반도체 파운드리 서비스를 강화에 나선다고요?

[기자]

네, 삼성전자는 이 공정 기술로 멀티 채널과 멀티 안테나를 지원하는 RF칩을 '원칩 솔루션'으로 제공할 예정입니다.

이를 통해 6기가헤르츠 이하부터 초고주파인 밀리미터파 대역까지 5G 통신 반도체 시장을 공략할 방침입니다.

삼성전자는 초미세 공정 기술력, 안정적인 양산 체제, 파운드리 생태계 확대 등을 통해 '반도체 비전 2030' 달성에 박차를 가할 계획입니다.

SBS Biz 권세욱입니다.

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